Samsung Electronics обяви официално “Flashbolt” – 3-то поколение High Bandwidth Memory 2E (HBM2E). Новият 16GB чип HBM2E е специално създаден за високопроизводителни компютърни системи и със сигурност ще подпомогне от гледна точка на бързодействие производителите на суперкомпютри, на конфигурации за анализ на AI (Artificial Intelligence) данни и последните модели графични станции.

“С анонсирането на най-бързата DRAM към днешна дата, ние правим изключително важна стъпка в затвърждаването на ролята си на водещ иноватор на бързоразрастващия се пазар на памети от “premium” клас”, заяви Чеол Чои, изпълнителен вицепрезидент на отдел “Memory Sales & Marketing” в Samsung Electronics.

‘Flashbolt’ е 2 пъти по-производителен от предшественика си от предходното поколение ‘Aquabolt’ – 8GB. Освен това новият чип рязко повишава производителността на компютърните системи като в същото време е по-енергийно ефективен. Samsung’s Flashbolt осигурява надежден трансфер на данни със скорост 3.2 гигабита в секунда (Gbps), a максималната достигната скорост при тестовете е 4.2.Gbps.

Очаква се производството на “Flashbolt” да стартира още през първата половина на тази година. В същото време от Samsung ще продължат да доставят и чиповете от 2-ро поколение ‘Aquabolt’.